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pe膜上的晶點(diǎn)形成的原因
發(fā)布時(shí)間:2019-05-03    瀏覽人次:3943次
pe膜上的晶點(diǎn)主要來(lái)自兩個(gè)方面:

由聚合過程引起的結(jié)晶點(diǎn)。不同的聚合設(shè)備和工藝對(duì)晶點(diǎn)的形成具有不同的影響。例如,一些著名的原料,由于生產(chǎn)工藝高,設(shè)備結(jié)構(gòu)好,聚合物中殘留催化劑含量低,因此,原料本身含有較少的晶體點(diǎn)。然而,由于生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備問題,一些劣質(zhì)原料導(dǎo)致原料本身含有更多的晶體點(diǎn)。

由成膜過程引起的晶點(diǎn)。例如:流延薄膜?薄膜由流延薄膜設(shè)備制成,晶體點(diǎn)較少。由不良的制膜設(shè)備吹制的薄膜有許多晶點(diǎn)。

原因如下:

1 溫度控制準(zhǔn)確,可有效避免溫度過高引起的晶點(diǎn);

2 模具表面光滑,降低熔體保留;

3 模具、螺桿流道設(shè)計(jì)合理,熔體流動(dòng)順暢,不易形成死角;

4 模具流路很短,降低了晶點(diǎn)產(chǎn)生的可能性。
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